DDR3 SDRAM – це третє покоління синхронної динамічної пам’яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних. Переваги в порівнянні з DDR2: більш висока пропускна здатність (до 19200 МБ / с), понижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення), менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.
Модуль пам’яті DDR3 8GB 1600 MHz Silicon Power (SP008GBLTU160N02) – це модуль пам’яті, який працює з тактовою частотою 1600 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 12800 МБ / с. Модуль пам’яті має параметр CL11, що означає величину латентності, рівну 11. CAS-латентність – перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
