Характеристики
| Виробник | Samsung |
| Модель | M.2 2280 1TB 990 EVO |
| Артикул | MZ-V9E1T0BW |
| Тип накопичувача | внутрішній |
| Серія | 990 EVO |
| Об’єм пам’яті | 1 TB |
| Тип флеш-пам’яті | 3D TLC NAND |
| Форм-фактор | M.2 |
| Типорозмір М2 | M.2 2280 |
| Інтерфейс підключення | PCI Express 5.0 x4 |
| Швидкість читання | 5000 Mb/s |
| Швидкість запису | 4200 Mb/s |
| Напрацювання на відмову | 1.5 млн. годин |
| TBW | 600 |
| (Збірка) Споживча потужність | 6 Вт |
| Товщина | 2.38 мм |
| Також шукають | для ноутбука |
| Також шукають | швидкі |
| Також шукають | ігрові |
| Також шукають | для комп’ютера |
| Також шукають | M2 1Tb |
| Габарити | 80 x 22 x 2.38 мм |
| Вага | 9 г |
| Колір | чорний |
| Країна виробництва | Південна Корея |
| Гарантія, міс | 60 |
